MTD6P10E
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | MTD6P10E |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 100V 6A DPAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±15V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660mOhm @ 3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.75W (Ta), 50W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 840 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Tc) |
Grundproduktnummer | MTD6P |
MTD6P10E Einzelheiten PDF [English] | MTD6P10E PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
SENSOR PHOTO 880NM TOP VIEW RAD
N-CHANNEL POWER MOSFET
SENSOR PHOTO 880NM TOP TO206AA
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
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ON TO-252-2
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
MOSFET POWER P-CH -100V 6A DPAK
ON SOT-252
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() MTD6P10Eonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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